эдс на входе и сопротивлением холостого хода при источнике тока.

Итак, при любых условиях на входе можно считать, что нагрузочное сопротивление Z всегда видит перед собой источник эдс 0, включенный последовательно с внутренним сопротивлением Zb (рис. П2.5,а). Расчет тока в нагрузке и напряжения на нагрузке, который обычно составляет главную задачу, в этих условиях элементарно прост:

(П2.8а)

(П2.86)

Определение необходимых величин С/ и Z b,x может осуществляться как аналитически (при известной структуре четырехполюсника), так и экспериментально (рассматривая его как закрытую коробку ). В обоих случаях нужно учитывать условия на входе: короткое замыкание или холостой ход.

Рис. П2.5. Иллюстрация принципа эквивалентного генератора: а) с источником эдс, б) с источником тока.

В заключение отметим, что принцип эквивалентного генератора, который мы изложили в том виде, в каком это обычно делается в литературе, можно преобразовать на основании принципа взаимного соответствия. Тогда формулы (П2.8) перейдут в следующие:

/ = / Хл

н к V J-V

вых н

(П2.9а) (П2.96)

Здесь -ток короткого замыкания на выходе, а 7,-выходная проводимость (при холостом ходе или коротком замыкании на входе, в зависимости от характера источника сигнала). Такой вид эквива-

лентного генератора (рис. П2.5, б) иногда может оказаться удобнее общепринятого (рис. П2.5, а).

Ток /g, в зависимости от источника сигнала, выражается либо через проводимость прямой передачи при коротком замыкании:

At ~ пкг

либо через коэффициент передачи тока при коротком замыкании:

Преобразование сложных схем к виду рис. П2.5 исключительно целесообразно как при анализе влияния изменений нагрузки на работу схемы, так и при формулировании требований к выходным параметрам схемы, т. е. при подходе к ее синтезу.

электрическое сопротивление q в пределах

--©-

ПРИЛОЖЕНИЕ 3

ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ

Проводимость полупроводников. Границы между проводниками, полупроводниками и диэлектриками, разумеется, условны. Обычно к полупроводникам относят материалы, имеющие при комнатной температуре удельное от Ю-ч-Ю ом см до 10 -=-10 ом-см. Однако главная специфика полупроводников заключается не в этой количественной характеристике, а в их структуре и связанном с нею механизме проводимости. Рассмотрим эти вопросы на примере четырехвалентного элемента германия, который имеет большое распространение в транзисторной технике.

В кристаллической решетке германия атомы расположены в пространстве по углам тетраэдров, но мы для простоты будем изображать их в плоскости (рис. П3.1). Связь атомов в решетке германия называется ковалентной (или просто валентной) в отличие от ионной связи, например, в решетке Na*Cl~, когда атомы ионизированы. Валентная связь выражается в попарной связи валентных электронов при сохранении нейтральности каждого атома. На рис. П3.1 валентная связь изображена сходящимися стрелками. Такая полностью

Рис. П3.1. Схематическое изображение кристаллической решетки германия при Г=0.