Таблица 3.6 Пре.аельные параметры повреждения полупроводниковых диодов

* Тепловой пробой наступает при t = 0.8 мкс.

Таблица 3.7. Ориентировочные параметры чувствительности и повреждения

некоторых транзисторов

Энергия. Дж

Окончание тобл. 3.7

Маломощные, высокой н сверхвысокой частоты П309: КТ602А ГТ30.5А ГТ305Б ГТЗОЯБ ГТЗШД ГГ313Л ГТ328А; ГТ376А КТ312А KT312B КТ340В КТ312А КТ347А КТ375Б

6.0-10-2

7.5-10-5 1,0-10 *

3,5-10-5 3.5-10-

1.710-3

Средней мощности, низтгой и средней частоты КТ602Б КТ603Л КТ603Б КТ004Б КТ608Б

БольшоГ .мощности, НИЗлОН, средней и высокой ч.-хтоты П701А KTiOSA KT8U9A

Болыпой мощности, сверхпы-сокой частоты КТ904А; KT907B

1.5-10-*

1.5-10-* 3,0-10-5

3,0-ш--

3.5-10-=

5-10

,-7**

4.0-10-*

8.0-10-*

8.0-10

8.0-10- 1,510-=

6,5-10-3

При Ти=10 мс; ** при Ти<0,1 мкс

9.5-10- 6.0 Ю-*

1.5-10-3

1.0-Ю-*

3,0-10-* 3,0-Ю-*

6.0-10-3 6,0-10-* 2,8-10-

2.0-10-*

Таблица 3.8. Предельно .юпусшмые параметры транзисторов, применяемых

Б усилителях

Таблица 3.9. Пре.чельиые пара.метры повреждения транзисторов

*> - в импульсной режиме U\ -25 В: *2 - в импульсном режиме Укэ ... 50 В; 3 в импульсном режиме t1,3=10 В; - в импульсном режиме L/jo =fcO В; 3 - с тсплоотводом.

осиовпои причиной отклонения параметров логических микросхем от норм 1У прп грозовом воздействии является нарушение функций диодов и траизн-стороп;

высокую электрическую прочность имеют И.МС, в которых применяют спаренные транзисторы.

3.3. РЕЗИСТОРЫ

В радиоэлектронной аппаратуре в основном применяют проволочные, пленочные углеродистые или пленочные металлизированные и углеродные ко.мпози-ционные резисторы (табл. 3.10).

Обычно резисторы относятся к наиболее стойким элементам радиоэлектронной аппаратуры. Для ма.чых по длительности переходных процессов основной

Таблица 3.10. Основные типы резисторов элементной базы РЭС

Таблица 3.11. Предельподопустимые параметры резисюров

1 Номинальные значения сопротивлений выпускаемых резисторов установлены в соответствии с ГОСТ 2625-67.

2 Номинальные значения мощностей рассеяния выпускаемых резисторов установлены в соответствии с ГОСТ 9663-75.

механизм повреждения резисторов - возникновение пробоя внутри прибора или перекрытие по его поверхности, что неизбежно приводит к уменьшению пробивного напряжения, увеличению токов утечки через резистор, избыточному нагреву его активного элемента и, как следствие, разрушению самой его структуры.

Все это влечет за собой, если не полное перегорание резистора, то, во всяком случае, неизбежную деградацию его основных параметров.

Основными характеристиками стойкости рез1гсторов являются: импульсная электрическая прочность резистора, включающая в себя предельное импульсное напряжение, которое может выдержать резистор без повреждения, п импульсную мощность рассеягпш, определяемую через предельное количество тепла, которое может рассеять резистор при сохранении своих параметров в пределах норм, установленных НТД, в процессе пли после воздействия импульсного напряжения заданной формы п длительности.

Опыт эксплуатации н испытаний на электрическую стойкость резисторов показывает (табл. 3.11):

увеличение номинала мощности резистора неизбежно влечет за собой увеличение его импульсной рассеиваемой мощности;

увеличение пом!1нала сопротивления резистора приводит, как прашгло, к уменьшешю пмнульсгюй рассеивае.мой .мощности п увеличению предельного импульсного напряжения;

более стойкими из всех видов резисторов оказываются проволочные резисторы, потом идут углеродные композиционные, а затем уже пленочные резисторы;

для вьгсокоомных резисторов являются характерными случаи, когда прп значительных импульсных перенапряжениях резисторы н.меют импульсные характеристики ниже, чем по постоя1пюму току;

меньше уровни повреждений у тех резисторов, на которые предварительно было подано напряжение, недостаточное для их поврежде1Гия, по сравнению с резисторами, не подвергавшимися такому воздействию.

3.4. КОНДЕНСАТОРЫ

В элементной базе радиоэлектронной аппаратуры широко представлены бумажные, слгодя1[ые, керамические, полистпрольпые. пленочные н электролитические конденсаторы (табл. 3.12).

Как п для резисторов, основная причина повреждегшя конденсаторов - возникновение пробоя внутри прибора и реже перекрытия по его наружной поверхности. В .1юбом случае пробой приводит к нз.менению параметров конденсатора.

Наибольшие необратимые изменения параметров вызываются длительными воздействиями электрических Fiarpy30K, при которых происходят процессы ста-ре1шя. ухудшающие электрическую прочность конденсаторов.

При импульсном воздействш! основная причина вы.хода из строя конденсаторов - ионизационные процессы, возппкаюшне внутри диэлектриков или у кра-