воздействию МЭМП по сравнению с проводами и кабелями. Основные способы уменьшения влияния наводок, возникающих в линиях связи при воздействии МЭ1МП и влияющих на результаты измерений КИА, сводятся к следующему (см. гл. 5):

заключение проводных и кабельных линий связи в дополнительный общий экран, например в металлическую трубу;

использование фильтров в цепях питания КИА или автономных источников питания;

подключение фильтров к цепям питания КИА или к автономным источникам питания;

подключение фильтров к проводным линиям связи со стороны исследуемой РЭС;

использование одноточечной схемы заземления или максимально возможное приближение к ней.

На рис. 6.6 приведена структурная схема испытательного стенда [14, 20, 56] для контроля НЧ параметров РЭС в условиях воздействия МЭМП, в котором использованы перечисленные выше меры защиты от воздействия МЭМП. Контрольно-измерительная аппаратура с источником питания к ней располагается в

мэмгт

дкранарованная камера

Блок (рормиробания

сианалоб упрабления

Импульс синхронизации

1 ! !j

Генератор импульсов

Делители напряжения

Шлейфобый осциллоераф

Шлейфобый осциллоараф

Источник питания

блок запуска

Блок питания

Блок питания

Сетевой фильтр

Рис. 6.6. Структурная схема испытательного стенда для контроля НЧ параметров РЭС в условиях воздействия МЭМП

экранированной камере и состоит из ряда регистрирующих приборов, в данном случае шлейфовых осциллографов с блоками питания к ним, аппаратуры формирования сигналов управления работой испытуемых РЭС, генератора импульсов и блока запуска шлейфовых осциллографов.

К цепям источника питания КИА подключен многозвенный LC-фильтр для защиты от наводок, возникающих под воздействием МЭМП. На РЭС, расположенные за пределами экранированной камеры, и на линию связи между РЭС и КИА воздействует МЭМП. Линия связи заключена в металлическую трубу, заземленную на общую точку экранированной камеры.

Для уменьшения восприимчивости к воздействию МЭМП цепей КИА, подключаемых к проводным и кабельным линиям связи, в их состав могут входить элементы оптоэлектроники. В настоящее время отечественной промышленностью выпускается широкая номенклатура излучающих и фотоприемных элементов, конструктивно объединенных в единый корпус, позволяющих обеспечить электрическую развязку между стыкуемыми частями аппаратуры.

В табл. 6.4 - 6.6 приведены данные о некоторых типах оптоэлектронных пар и оптоэлектронных интегральных микросхем. В отличие от оптоэлектронной пары, состоящей только из излучающего и фотоприемного элементов (излучающего диода и фоторезистора или фотодиода, или фототранзистора и т. д.), оптоэлект

Таблица 6.4. Характеристики диодных оптопар

АОД101А...Д ЗОД101А....Г АОД107А...В I ЗОД107А, Б f (могут выть использованы в фотодиодном и фото-генераторном режимах)

Входное напряжение, В

1,5...1.8 1.5

Коэффициент передачи по току, %

Время нарастания и спада выходного импульса. НС

о ф в о <D к

0,7...1,5 1...5

10 ...10 300...500

2... 10

5.10

А0Д112А-1 \ ЗОД112А-1 / (ишользуются только в фотогенераторном режиме)

АОД120А-1 АОД120Б-1 ЗОД120А-1 (используются только в фо-тодиодном режиме)

0,4...!

30...50

10

Таблица 6.5. Характеристики транзисторных onTonaip

Таблица 6.6. Характеристики оптоэлектронных интегральных микросхем [59]

ронная интегральная микросхема включает также устройства первичной обработки сигнала, фор.мируемого а выходе фотоэлемента.

Если уровень помех в цепях контрольно-измерительного стенда превышает заданный уровень, то во многих случаях может оказаться целесообразным использование волоконно-оптических линий связи (ВОЛС) с соответствующими стыковочными устройствами [65-67].

Волоконно-оптические линии связи характеризуются: высокой скоростью передачи информации; низкими оптическими потерями в световодах, что обеспечивает возможность передачи информации на большие расстояния; невосприимчивостью к электромагнитным помехам; широкой полосой пропускания передаваемых сигналов; высокой степенью скрытности, т. е. отсутствием электромагнитных излучений в окружающее простра)нство; высокой диэлектрической изоляцией, обеспечивающей идеальную электрическую развязку между соединяемыми устройствами; малыми размерами и массой волоконно-оптических кабелей; относительно низкой стоимостью и малым потреблением.

Все эти преимущества ВОЛС вызвали в последние годы бурное развитие технологии изготовления волоконно-оптических кабелей, различного рода стыковочных соединительных устройств, источников излучения с повышенной яркостью и высококачественных приемников передаваемой световой информации \[69]. Структурная схема оптического канала связи представлена на рис. 6.7.

Наиболее широко употребляемыми в настоящее время являются волоконные световоды с твердой сердцевиной, окруженной твердой оболочкой с малым показателем преломления. Они изготовляются из кварцевого легированного стекла. Оптические потери в таких световодах за счет поглощения и рассеивания весьма малы (например; менее 10 дБ/км в диапазоне длин волн 0,8... 1,8 мкм