Для защиты от воздействия соляного тумана и плесневых грибков требуется применять специальные покрытия корпусов.

Полупроводниковые приборы сохраняют работоспособность прн воздействии на них постоянных ускорений до 120-150 g, многократных ударов с ускорением до 150 g, одиночных ударов с ускорением до 500 g и вибрационных ускорений до 12-15 g в диапазоне 10-600 Гц для мощных транзисторов и Б-2000 Гц для остальных приборов.

Приведенные характеристики механической и климатической. устойчивости полупроводниковых приборов являются наиболее типичными. Для отдельных типов приборов эти величины могут Незначительно Отличаться.

9.5. ВЫБОР ТИПА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Выбор типа ПП при проектировании схемы определяется ее характером, требованиями к выходным параметрам и условиям эксплуатации.

При анализе условий эксплуатации транзисторного блока основное внимание следует уделять диапазону рабочих температур. При температуре до 70 С используются германиевые транзисторы, до 100-120° С - кремниевые. Кремниевые транзисторы по сравнению с германиевыми лучше работают при высоких температурах, имеют более высокие пробивные напряжения и на один-два порядка меньше / о. Однако их Р более резко падает при низких температурах - (20.-60) С и малых токах. Кремниевые транзисторы имеют меньший частотный предел, более высокое сопротивление насыщения и большие шумы. Предельная частота транзистора опре- деляется его типом, схемой включения (ОЭ, ОБ, ОК), режимом по постоянному току и должна соответствовать требованиям схемы. Не следует применять высокочастотные транзисторы там, где могут работать низкочастотные. Исключение составляют случаи, когда требуется получить малые шумы.

При выборе транзисторов по мощности следует учитывать, что использование мощных транзисторов на малых токах приводит к снижению устойчивости их работы в диапазоне температур, к резкому снижению коэффициента передачи при низких температурах и к нестабильности во времени. Использование маломощных транзисторов на больших мощностях, близких к предельно допустимым, Снижает надежность работы из-за перегрева, снижения температурной устойчивости и уменьшения напряжения пробоя. Щ Лучше применять транзистор малой мощности с небольшим теп- лоотводом, чем большой мощности, но без теплоотвода.

При выборе типа транзистора для применения в конкретной схеме можно руководствоваться табл. 9.5, 9.6, в которых указаны характерные области использования транзисторов.

При выборе типа полупроводниковФго диода следует руководствоваться целевым назначением прибора. В тех случаях, когда возникает необходимость использовать диод для выполнения функций, отличных от его основного назначения, следует предварительно измерить его параметры н провести испытания по определению количественных показателей надежности. Измерения параметров должны проводиться иа установках и по методикам, рекомендуемым соответствующими техническими условиями.

к.1

ТА в ЛИЦА 9.5

Применение транзисторов малой мощности

* Для схем с низким уровнем шумов.

При повышенном напряжении на коллекторе.

Для миниатюрных радиоэлектронных устройств.

Применение транзисторов

В табл. 9.7-9.15 приведены некоторые конструктивные и электрические параметры основных типов полупроводниковых приборов. Звездочкой (*) обозначены ПП, не рекомендуемые для применения в новых разработках.

Условные обозначения параметров полупроводниковых приборов

/пр.- выпр - /имп макс /от макс - /пик - /вп -

к имп -

обр макс -

пик -

fmaKC

прямой ток диода;

максимальный выпрямленный ток;

максимальный ток в импульсе;

максимальный ток стабилизации;

пиковый ток туннельного диода;

ток впадины туннельного диода;

коллекторный максимальный ток;

максимальный ток коллектора в импульсе;

напряжение стабилизации;

максимальное обратное напряжение диода;

напряжение пика туннельного диода;

допустимое напряжение коллектор - база;

допустимое напряжение коллектор - эмиттер;

допустимое напряжение эмиттер - база;

предельная частота передачи тока в схеме с общим

эмиттером; (P = 1);

наивысшая рабочая частота;

максимальная мощность, рассеиваемая транзистором без дополнительного теплоотвода;