сопротивления, тем большие обратимые изменения вызываются облучением; поэтому резисторы с сопротивлением порядка 10 Ом могут быть венадежны.

Облучение резисторов потоком быстрых нейтронов вызывает как необратимые, так и обратимые изменения (в зависимости от величины потока) (табл. 5.12), а гамма-облучение - только обратимые изменения [13, 141.

Т АБЛИЦА 5.11

Изменение номинального сопротивления резисторов, %, при кратковременном воздействии нейтронного облучения

Тип резиотеров

Обратимые изм8нения Необратимые изменения

Величина потока, нейтр/см°

ТАБЛИЦА 5.12

Величины нейтронного потока, при которой возникают необратимые изменения в резисторах и короткие замыкания,

нейтр/см*

Зависимость сопротивления тонкопленочных и проволочных резисторов от длительности гамма-облучения показана на рис. 5.6 [18].

Импульсное (длительность импульса 0,1 мс) гамма-облучение дозой 10 Р при мощности дозы W Р/в в резисторах различных номиналов вызывает обратимые изменения:

Уменьшение величины сопро-Номинал, кОм тивления во

время облучения, %

1................ 1

10................ 0,5-= 4

100................ 5-15

1000................ 30-75

10000................ 65-85

При малых дозах импульсного нейтронного и гамма-облучения, воздействующих одновременно, изменения параметров резисторов

.0 -10

т ш 600 SD0 1(100

Длитемность олучения.ч

Рис. 5.6. Зависимость изменения сопротивления тонкопленочных (/-5) и проволочных (4) резисторов различных номиналов от длительности гамма-облучения при общей дозе 2-10Р.

разных типов носят обратимый характер (величина изменения определяется не конструкцией, а размерами резистора). Характеристики резисторов полностью восстанавливаются через 1-5 мс пос ле облучения [19].

5.9. ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ОБЛУЧЕНИЯ НА КОНДЕНСАТОРЫ

Ионизирующее излучение вызывает обратимое или необратимое изменение емкости конденсаторов и обратимое (в большинстве случаев) изменение величины утечки и тангенса угла потерь.

Нейтронная радиация приводит к необратимым и обратимым изменениям характеристик конденсаторов, а гамма-облучение в основном - к обратимым изменениям. Общей причиной этого является изменение электрических характеристик диэлектрика (диэлектрической постоянной и сопротивления).

кроме этого, при воздействии радиации происходит выделение газов в электролитических конденсаторах и конденсаторах с масляным заполнением, что может привести к их разрушению. Данные, характеризующие радиационную стойкость конденсаторов разлнч-ных видов, даны в табл. 5.13. т А Б Л И ц А Б. 13

Влияние радиации на конденсаторы [8, 9, 13-15]

Вид конденсаторов

Интенсивность суммарного нейтронного и -у-излучения, (нейтр/см) + эрг/Кл

Характер влияния радиации

Керамические

Сегиетокерамичес-кие емкостью 0,01-0,08 мкФ

Стеклоэмалевые

Слюдяные

Бумажные Бумагомасляные

Электролитические

Танталовые

Алюминиевые

1,3-108+2,5.101 l.lOiS-l-8,3-10

2,5-101+6,1-101

1.10 +5,7.108

1,23-1018+0 1.1018+2,5.1010

1,Ы018+0

(3,4.10l..2,5.10l8)+ +(5,7-108...4,4.1010)

То же

Обратимые изменения емкости на 4 - 19%

Токи утечки в обратном направлении.

Обратимые изменения емкости менее 1%

Уменьшение сопротивления изоляции на 2- 3 порядка

Необратимое изменение емкости менее 1%

Обратимое изменение емкости менее 1%

Значение емкости выходит за пределы допусков

Необратимые изменения емкости от +37 до -20%

Ток утечки возрастает с повышением мощности и дозы облучения

Необратимые изменения емкости от -10 до +3%

Необратимые изменения емкости от -6 до +65% Короткое замыкание

Ы01 +0

Примечание. Сегнетокерамические конденсаторы подвергались импульсному облучению, остальные-непрерывному.

5.10. ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИИ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Характер и степень воздействия радиации на полупроводниковый диод зависят ог того, какой эффект использован в качестве основы его работы, вида полупроводникового материала, удельного сопротивления материала, а также конструктивных особенностей диода . ,