поля допуска на ТК коэффициента усиления. При этом необходимо учесть, что коэффициент корреляции между входным сопротивлением и коэффициентом усиления транзистора Гр = 0,9 [18]. Таким образом, в диапазоне температур от 20до 60° G ( /<)+=0.35Л1(ар)-0,28Л1(а ) 4-0,21М(ад) = = 0,.3.5.1,25-0,28-2 1-0,21.0,6 = 0,004% на 1°С;

-f 0,2=6 (ajj +0.236 ( rJ +0.236 (aJ -f 0,2Рб (й/ -- +0,366 ( с)-2p. ft., 0.35fi (йр) -0,286 (a ,) = = 0,86 /0,35-0,52 -f 0,282-0,6252 + (0,582 0,2 + +0,232 .0.232) (7-10-)*-f-0,212.0,22-f 0,362.0,252-

- 2-0,9-0,35-0,5-0.28-0,625 ==0,117% на 1°C. В интервале температур от +20 до -60° С

М(а,) = 0,35-0,625 - 0,28.0,75 + 0,21-0,3= = 0,072% на 1°С:

6( /<) = 0,86 /0.352-0.2,52 0,282-0,3752+ (0,582+-*

+ 0,22 + 0,232 + 232). (12 lO- )4-0,212 O.IS--

+0,302-0,1252 - 2-0,9-0,35 0,25-0.28.0,375 = = 0,0946% на 1°С.

Теперь по формуле (19.9) найдем поле рассеивания температурных погрешностей при крайних температурах рабочего диапазона:

а) при /=60° С

Д..=[Л1 (a) d= 6 (И/,;)] Д; = [0,004 d= 0,117] (60-20) = = (0,16 ± 4,68) %;

.6) при <=-60°С

Д =[0,072 ± 0,094 .] (-60-20) = (-5,76 ± 7.57) %.

3. Произведем расчет допусков па старение. По ГУ для резисторов типа МЛТ за 2000 ч работы возможно изменение сопротивления на d=4%, следовательно, величина коэффициента старения

4- 4 %

Ср = ---=гЬ 2-10-3% а 1 2000

Для конденсаторов МБМ гарантийный срок службы по справочным данным равен 1000 ч, а изменение емкости за это время составляет не более d=10%, следовательно,

Сг =-=± 10.10- % на 1 ч. 1000

Параметры транзисторов при старении изменяются незначительно, поэтому считаем Ср = С 0. Величина /?в в основном определяется входным сопротивлением транзистора следующего каскада и, следовательно, Ср = 0. Как уже отмечалось, при расчете допусков на старение можно считать, что AEj/Ef = 0.

С учетом изложенного, пользуясь уравнением (19.36), по формулам (19.15), (19.17) и (19.18) рассчитаем допуски на старение:

/И(C) = 0)

fi(C;) = 7/(0,582+ 0,22-1-0.232+0,232) fi2(C,) + 0,362fi2 (Сс,) =

= 0,86 V (0,582 + 0,22 +0,232 +0,232) (2.10-3)+0,362 (lO. 10 =

= 3,32.10-3о/о а

Аст=[М (С;)± fi(C;)] Дт=± 3,32.10-3.1000 = ±3,32%.

4. Расчет допусков на влажность. Как уже отмечалось, под влиянием влаги параметры транзисторов и конденсаторов практически не меняются, поэтому их погрешности можно принять равными нулю. Это относится и к i?Hi так как его величина в основном определяется параметрами транзистора. Следовательно, погрешности увлажнения будут определяться изменением сопротивлений резисторов МЛТ. По ТУ на резисторы МЛТ для сопротивлений до 1 МОм коэффициент увлажнения находится в пределах от -3 до +6%. Полагая распределение КУ нормальным и симметричным, имеем

й =(1,5±4,5)%.

По уравнению (19.36) и формулам (19.20)-(19.22) рассчитаем допуски на влажность:

M(ft)=(0,58 + 0,2 -0,23 -0,23). 1,5 = 0,48%;

б(йд) =0,86у (0,582 + 0.22 +0,232 + 0,232) 4,52 =2,69%; Авл = (0.48±2,69)%.

5. Расчет производственных допусков. Для обеспечения заданного эксплуатационного допуска на коэффициент усиления УНЧ можно изменять только допуски на сопротивления резисторов и емкость конденсатора, поскольку допуск на напряжение питания задан, а подбор транзисторов обычно ие допускается.

Согласно ТУ на транзисторы МП16А коэффицент усиления может находиться в пределах 30-50. Среднее значение Р равно 40, при этом половина поля рассеивания Р составляет 25%, а координаты

середины поля допуска д() ° 0.

Коэффициенты относительной асимметрии распределения отклонений в поле допуска (Ор) п относительного рассеивания (лр) параметра Р сплавных германиевых транзисторов соответственно равны - 0,85 и 2,02 [18]. Поскольку между параметрами Р и hn низкочастотных германиевых транзисторов немеет место тесная кор-

реляционная связь (р = 0,9), то допуск на параметр /гц и значения коэффициентов а и k можно взять такими же, как и для параметра.

G учетом изложенного по уравнению (19.36) и формуле (19.32) определяем величину систематической составляющей производственных погрешностей коэффициента усиления УНЧ. В данном случае она обусловлена лишь асимметрией распределений Р и /гц)

=0,35 (-0,85) 25-0,28 (-0,85) 25= -.1,49%.

По формуле (19.24) находим пределы смещения систематической составляющей суммарного поля рассеивания коэффициента усиления УНЧ;

К )г+

49+0,16-f-

+ 0,48= -0,85%)

1Г =-1,49-5,76 = -7,25%. ар \ А /Г-

По формуле (19.23) находим расчетную величину эксплуатационного допуска

% = =7J=±22.6%.

По формуле (19.25) определяем величину случайной составляющей суммарного поля рассеивания:

\ К )z 2

= 22,6 -7,25=15,35%.

макс

По найденной величине случайной составляющей суммарного поля рассеивания с помощью формулы (19.26) определяем допустимую величину случайной составляющей поля рассеивания производственных погрешностей:

А /от \ А /вл

+ 6-

[ К )i~

= V 15,352 - 13,322 + 2,692 + 7,572] = i2,67%.

6. Расчет допусков на параметры схемных элементов. Учитывая допустимую величину случайной составляющей поля рассеивания производственных погрешностей, величины коэффициентов влияния погрешностей элементов (19.36) на погрешность коэффициента усиления УНЧ, выбираем допуски на сопротивления {R ±10%, R3, 4 н Rs ±20%) и на емкость конденсатора (Q ±10%).