Космонавтика  Экранирование высокочастотных катушек 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 [ 235 ] 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 263 264 265 266 267 268 269 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 281 282 283 284

тырех базовых логических элементов ИЛИ--НЕ (рис. 18.40), выполненных в общем корпусе и соединенных по схеме триггера, полусумматора и т. п. (рис. 18.41).

Основные электрические параметры микросхем: время задержки распространения сигнала-400+500 не, рассеиваемая мощность- менее 2 мВт, коэффициент нагрузки-4+50, напряжение питания 4 В ± 10%; помехоустойчивость - 0,15+0,7 В.

Микросхемы выпускаются в металлостеклянных круглых (см. рис. 18.27) или металлополимерпых прямоугольных корпусах (см. рис. 18.11). Масса микросхем-1,6 г. Рабочий диапазон температур от -СО до +85° С.

Микросхемы серии 121. Кремниевые полупроводниковые микросхемы с диодно-транзисторными связями серии 121 предназначены для работы в блоках быстродействующих ЦВМ.

Основные электрические параметры микросхем: средняя задержка распространения сигнала - 35 - 50 не, рассеиваемая мощность-до 20 мВт, коэффициент нагрузки 4-20, напряжение питания 5 В ± 10%, помехоустойчивость не менее 0,9 В.


41 о

Рис. 18.39 Модуль Р.

Bxodi

Выход о


Bxodi

о -о Выход

Вход г

Bxodi

о [Ъ --о Выход

Рис. 18 40. Принципиальная электрическая схема базового логического элемента микросхем серий 113 и 114 (а) и его разновидности (б).

Микросхемы выпускаются в металлостеклянных круглых илн металлостеклянных прямоугольных корпусах. Масса микросхем - около 1 г.

На рис. 18.42 приведена принципиальная схема микросхемы типа 1ЛБ211 серии-121.

Микросхемы серии 104. Кремниевые полупроводниковые микросхемы с диодно-транзнсторными связями серии 104 предназначены для работы в логических узлах ЦВМ и узлах автоматики.



11 9 lb II S 10

с 9 P



14- 345676

13 12 II 9 10

2 3 5 6 71Г в 1 г г *5 7/*



Рис. 18.41. Микросхемы серий 113 и 114:

а -микросхема 1ЛБ131-четыре двухвходовые схемы ИЛИ-НЕ с возможностью расширения; 6 -микросхема 1ЛБ132-две двухвходовые схемы ИЛИ-НЕ с возможностью расширения; о -микросхема 1ЛБ133-двухвходовая схема ИЛИ-НЕ и трехвходовая схема ИЛИ-НЕ с большой нагрузочной способностьки е-микросхема 1ЛЫ 34 -трехвходовая схема ИЛИ-НЕ о большой нагрузочной способностью; й -микросхема 1ЛБ135 -расширитель и двухвходовая схема ИЛИ-НЕ; е-микросхема 1ЛБ131-полусумматор; ж-микросхема 1ТР131 -триггер и двухвходовая схема ИЛИ-НЕ о возможностью расширения.



Основные электрические параметры микросхем: среднее вреня

задержки распространения сигнала -50 не, рассеиваемая мощность 20 мВт, коэффициент нагрузки-5, напряжение питания 6,3 В ±

Рис. 18.42. Принципиальная электрическая схема микросхемы типа 1ЛБ211 серии 121.

± 10%. Помехоустойчивость 0,5 В. Микросхемы выпускаются в металлокерамических прямоугольных корпусах. Масса микросхем 0,5 г.


Рис. 18.43. Микросхема типа 1ЛБ044

Принципиальная схема основного логического элемента серии 104-микросхемы типа 1ЛБ044 приведена на рис. 18.43.

Особенности компоновки полупроводниковых микросхем в узлы и блоки

Конструкции узлов и блоков с полупроводниковыми микросхемами должны иметь высокую надежность монтажных соединений, соответствующую надежности полупроводниковых микросхем, т. е. не хуже Я= Ю 1/ч на одно соединение; быть ремонтопригодными



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 [ 235 ] 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 263 264 265 266 267 268 269 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 281 282 283 284