Ь-О Рис. 18.30. Эквивалентная электрическая схема микросхемы Р12-2.

Земля о Вход/

5дыео9ов

90,05 Рис. 18.31. Общий вид микросхемы Р12-2.

Питание

ВыхоО Вход П

г, 5

о о ф ф о о о

о

о о

Рис. 18.32. Модуль из четырех микросхем Р12-2.

ТТПШПЕ

Приближенная эквивалентная электрическая схема изображена на рис. 18.30. Микросхема содержит два дрейфовых транзистора р-п-р типа в качестве переключаемых элементов со входом на базу и общую нагрузку в виде распределенного сопротивления р-типа. Микросхема Р12-2 выполняется в металлополимерном корпусе диаметром 3 мм и высотой 1,1 мм с мягкими выводами из золотой проволоки диаметром 50 мкм (рис. 18.31). Масса микросхемы не превышает 24 мг.

Микросхемы устойчивы к воздействию влажности до 80% и к циклическим изменениям температуры окружающей среды от -60 до +60° С. Дальнейшее конструктивное оформление и герметизация производятся при сборке четырех микросхем в логические модули. Одна из возможных конструкций таких модулей приведена на рис. 18.32.

Масса модулей такой конструкции около 0,75 г, плотность упаковки 40 эл/см*, они обеспечивают плотность монтажа в блоках аппаратуры 6 - 8

а 1 -ллЗ Л

Рис. 18.33. Модуль Т.

эквивалентных деталей иа 1 см. Микросхемы в составе модуля сохраняют электрические параметры при влажности до 98%, постоянных ускорениях до 150 g и одиночных ударах с ускорением до 1000 g, вибрационных нагрузах в диапазоне частот от 5 до 5000 Гц с ускорением до 40 g. Рабочий диапазон температур от -60 до +60° С.

О 52

f2 гг ?г t/z

Рис. 18.34. Модуль И.

Рис. 18.35. Модуль Д.

Напряжение питания микросхем- 1,2 ...+0,2 В. Мощность, потребляемая от источника питания, менее 5 мВт, выходные напряжения в состоянии О не более 0,12 В, в состоянии -более 1,0 В, задержка распространения сигнала менее 400 не, нагрузочная способность от 3 до 6, помехоустойчивость более 100 мВ.

На рис. 18.33-18.39 приведены логические схемы семи типов модулей, построенных на полупроводниковых микросхемах Р12-2, i образующих законченный унифицированный ряд, позволяющий реализовать любые логические фупкцип без прцменения других радиокомпонентов.

23 Зак. 479

3f i4 ift

Основной триггерной ячейкой любого дискретного устройства является модуль Т (рис. 18.33). Он используется для построения любых регистров. Модуль И (рис. 18.34) применяется в качестве клапана с инверсией для четырех переменных (/, 2, 3 и 4), при управлении по входу 5 и б в качестве инвертора четырех переменных при нулевом сигнале на входе 5. На двух независимых группах твердых схем модуля Д (рис. 18.35) могут быть реализованы основные логические функции двух переменных.

Основное применение модуля М (рис. 18.36) много-входовые сборки И и ИЛИ (в сочетании с модулями И), если о промежуточных ступеней этих сборок сигналы не разветвляются. Модуль К (рис. 18.37) используется как коммутатор информации, подаваемой на входы 2 к 4. Разрешающим является О управляющего сигнала, подаваемого соответственно на входы 1 и 3. При наличии информации в прямом и обратном кодах модуль К может быть использован как схема равнозначности (неравнозначности) двух переменных.

Рис. 18,36. Модуль М.

25 11 It U1 5 9 9 9 9 <? 9

Y У

-xsr-

6 * й

п гг зг

3fa пЗ

V

Рис. 18.37. Модуль К.

Рис. 18.38. Модуль П.

Модуль П (рис. 18.38) обычно используется в сумматоре по модулю 2. Соединением выхода 22 со входом 44 получают из модуля П триггер с раздельным управлением входами.

Назначение модуля Р (рис. 18.39) увеличение мощности сигналов / в цепях, объединяющих до 16 и более входов.

Микросхемы серий ИЗ и 114, Кремниевые полупроводниковые микросхемы с непосредственными связями серий 113 и 114 предназначены для работы в блоках быстродействующих ЦВМ малой потребляемой мощности. Каждая микросхема содержит не менее че-