Если р-п переход образован методом диффузии, то для получения хорошего контакта необходимо на поверхность полупроводниковой пластины нанести слой металла. Это можно сделать, например, с. помощью вакуумного напыления. После вплавления металла в полупроводник образуется структура типа р-р+ или /г-п+. К металлическим контактам методом термокомпрессии прикрепляются внешние выводы.

Отдельные рабочие элементы соединяются друг с другом или с контактными площадками алюминиевыми проводниками, которые напыляются в вакууме на предварительно окисленную поверхность пластины (рис. 18.26).

Рис. 18.25. Полупроводниковая пластина с сформированными рабичими элементами до нанесения соединительных проводников и контактных площадок (сильно увеличено).

Для герметизации полупроводниковых микросхем используются металлические, керамические или пластмассовые корпуса различной формы.

В качестве унифицированных корпусов для отечественных микросхем приняты:

1. Круглые металлостеклянные корпуса с 8- или 12-штыревы-ми выводами диаметром 0,45 мм (рис. 18.27).

2. Прямоугольные металлостеклянные (или металлокерамические) корпуса с 14 плоскими планарными, расположенными по двум сторонам выводами. Ширина выводов-0,3-0,5 мм, толщина - 0,1-0,2 мм (рис. 18.28).

3. Прямоугольные пластмассовые корпуса с 14 плоскими штыревыми, расположенными по двум сторонам, выводами. Ширина выводов -0,3-0,5 мм, толщина-0,1-0,02 мм (рис. 18.29).

Для изготовления полупроводниковых микросхем требуется дорогостоящее специализированное технологическое оборудование, поэтому при конструировании РЭА, как правило, используют микросхемы общего назначения, выпускаемые электронной промышленностью.

Конструкция и электрические параметры отечественных полупроводниковых микросхем приведены в соответствующих справоч пиках и каталогах.

Рис. 18.26. Полупроводниковая пластина с напыленными алюминиевыми соединительными проводниками и контактными площадками (сильно увеличено).

Рис. 18.27. Металлостеклянный цилиндрический корпус: в-общий вид; б-ножка корпуса со смонтированной полупроводниковой пластиной (увеличено); в-полупроводниковая пластина с рабочими элементами, соединительными проводниками и золотыми выводами (увеличено).

Ниже приводится краткое описание конструкции и электрических параметров некоторых типовых и широкоприменяемых микросхем общего ппименения.

Линия контактирования Г ~

I

Рис. 18.28. Металлокерамический плоский корпус.

/9,5 макс 8

Рис. 18.29. Пластмассовый прямоугольный корпус.

Типовые и широкоприменяемые полупроводниковые микросхемы

Микросхемы типа Р12-2. Германиевые полупроводниковые микросхемы с непосредственными связями типа Р12-2 являются универсальными логическими переключающими элементами НЕ - ИЛИ на два входа и предназначены для построения логических и арифметических узлов ЦВМ со средним быстродействием.