экрана, то эта волна существенно отражается. Лак, для электрического поля (рис. 2.6)

i?lflB] = 382+101g(G/f (хг),

(2.9)

где г - расстояние от ИП до экрана, мм. Уравнение (2.9) справедливо пока г<К/2я,~1!. е. до того момента, когда

й7 /е 70 /z7* 70 Ю 10 10

Оастота,Гц

Рис. 2.7. Затухание при отражении магнитного поля.

затухание станет определяться уравнением (2.8) для плоской волны. Поэтому на рис. 2.6 для сравнения показаны две прямые из рис. 2.5.

воздух

Щ О)

Рис. 2.8. Однородное магнитное поле (а) и полый объект йз материала с pq> 1 в этом поле (б).

Для магнитного поля

i?[flB] = 201g [(0,462/r)KiV/G + 0,136/-T/G77iI+0,354] .

(2.10)

Решение этого уравнения представлено на рис. 2.7. Из него видно, например, что затухание при отражении от стального -экрана (г===25,4 мм) R=0 дБ на частоте SO кГц.где волновое сопротивление.равно поверхностному сопротивлению экрана. С ростом частоты затухание из-за.отражения pagTer, пока ri/2n.

Рис. 2.9. Суммарный эффект экранирования электрических и магнитных полей:

-электрические поля;----плоские волны;

магнитные поля.

Сравнивая рис. 2.6 и 2.7, можно отметить, что экранирование, обусловленное отражением магнитного и-электрического полей, на НЧ-имеет различный характер.

Магнитное поле (рис. 2.8, а) на очень низкой частоте можно экранировать, создавая магнитную цепь с низким сопротивлением (рис. 2.8,6). Магнитные силовые линии пересекают стенки полого объекта толш,иной t под углом 90°, а напряженность магнитного поля внутри объекта меньше, чем снаружи, в Urt/s, где fXr - относительная магнитная проницаемость материала стенок; s - размер, показанный па рис. 2.8,6. Напряженность магнитного

ПОЛЯ в стенках значительно больше, чем в окружающем пространстве, и гораздо больше, чем во внутренней полости. В этом и состоит эффект экранирования (до 50 дБ на очень низкой частоте).

Суммарный эффект экранирования (2.4), определяемый уравнениями (2.6) - (2.10), для некоторых параметров отображен на рис. 2.9. Как видно из этого рисунка, экранирование за счет отражения (за исключением магнитных полей) преобладает на низких частотах, а за счет поглощения - на высоких.

2.2. ЭКРАНИРУЮЩИЕ МАТЕРИАЛЫ

Для экранирования электрических полей следует использовать материалы с высокой электропроводностью. Как следует из (2.9), эффективность такого экрана бесконечно велика на очень низких частотах и падает с их ростом.. Экранировать магнитные поля более сложно, поскольку затухание из-за отражения равно нулю для некоторых сочетаний материалов и частот. С уменьшением частоты ослабление магнитного поля из-за отрай<ения и поглощения в немагнитных материалах (например, в алюминии) падает, поэтому трудно создать магнитный экран из немагнитных материалов. На ВЧ, где экранирование обеспечивается и поглощением и отражением, выбор материала менее критичен.

Магнитные материалы обеспечивают лучшее экранирование от плоских волн за счет поглощения (рис. 2.4),

Таблица 2.1