In[mA]

иза[В]

0.2 0.4 0.6 0.B

Рис. 1.33а. Входные ВАХ СИТКП926.

0.2 1 2

Рис. 1.336. Проходные ВАХ СИТКП926.

Гсиотк. Оа.

1.51

lQ-4 2 4 iQ-3 2 4 6 8 10-2

l3.A

Puc. 1.34. Зависимость сопротивления в открытом состоянии от положительного тока затвора СИТ КП926.

ПТ со статической индукцией (СИТ)

В отличие от МДП-транзисторов СИТ имеют большую перегрузочную способность по току, защищены от воздействия статического электричества, лучше противостоят радиационному воздействию. С точки зрения применения следует подчеркнуть, что СИТ. во-лервых. имеют большее максималькое напряжение сток-исток (см. табл. 1.3) и. во-вторых, могут работать в полевом режиме и в биполярно-полевом (с модуляцией сопротивления канала).

При зтом СИТ (мощный, высоковольтный) является нормально открытым прибором. Электронные устройства на основе СИТ (см. Р4 каталога) обладают очень высокими энергетическими и массо-габаритными показателями. Но эти показатели достигаются при выполнении достаточно высоких и жестких требований к

формирователю импульсов управления СИТ (см. РЗ каталога):

1. Обеспечение форсированного отпирания и запирания СИТ по току затаора (форсировка на токи затвора (1-5) А должна занимать по времени не более (100 - 200 не) при работе в биполярно-полевом режиме (малые ToJ.

2. Контроль за напряжением отсекающего смещения (дополнительно к традиционному контролю за перегрузками по току, напряжению, за перегревом, выходом из насыщения и т.п.).

3. Решение проблемы сквозных токов , возникающих в формирователе импульсов управления при коммутации и двуполярном питании цепи затвора СИТ.

4. Обеспечение возможности перехода от полевого режима работы СИТ к бипопярно-попевому (и обрат-

Основные параметры отечественных СИТ

Таблица 1.3

2П938 А.Б.В,Г,д

Ic.mA

1 2 Я 4 5 Ucu.B

Рис. 1.35. Выходные ВАХ СИТ КП938 при положи-

тельном смешении на затворе.

IcmA

101)

201) 300 400

Ueu.B

Puc. 1.36. Выходные ВАХ СИТ КЛ937 в области боль-ишх напряжений и малых пюков.

чо) без изменения структуры формирователя импуль-;ов управления (при работе в широком частотном диапазоне).

5. Повышение быстродействия СИТ на основе нетрадиционных схемотехнических решений (формирование импульсов управления по схеме с истоковым запиранием , включение СИТ по схеме с общим стоком и бутстрепным восстановлением напряжения на затворе и т.п.).

Основные параметры отечественных СИТ приведены в табл. 1.3; параметры СИТ в. табл. 1.3 по сравнению с параметрами МДП-транзисторов табл. 1.2 дополнены напряжением отсечки (характеризует блокирующие возможности СИТ) и коэффициентом передачи тока затвора в биполярно-полевом режиме.

На рис. 1.30 - 36 приведены типовые выходные и проходные ВАХ отечественных СИТ.

На рис. 1.37 приведены диаграммы изменения токов в СИТ типа КП926 в биполярно-полевом режиме, на рис. 1.38 - экспериментальные зависимости временных параметро СИТ (времени рассасывания tp, времени переходного фронта tJ и времени заднего фронта t-) от амплитуды выходного и входного токов при включении на резистивную нагрузку.

Положительный фронт относительно слабо зависит от Ij, 1, а от 1с и 1; сильной является за-

1гю йоп 300 400 поо 600 700 ооо Ucn.B

Рис 1.35. Выходные ВАХ СИТ КП938 при отрицательном смеш/ении на затворе.

1с.А

1) 1 2 3 4 5 6 ИсиД

Рис 1.36. Выходные ВАХ СИТ КЛ937 в области малых напряжений и больших пюков.

висимость времени рассасывания tp как от степени насыщения, так и от условий запирания (от Ij ). Длиг тельность фронтонов t, tj обычно не более (25-50) НС. При таких фронтах практически невозможно проводить испытания без демпфирующих RC-цепей (Snubber), обеспечивающих защиту от перенапряжений, эффекта du/dt и т.п. Пример такой ЯС-цетти представлен на рис. 1.39а, временные диаграммы токоа и напряжений токов и напряжений на элементах - на .рис. 1.396.

Установлено, что сильная зависимость амплитуд идр и идм от емкости Cs наблюдается при малых значениях последней; Удр и Удм зависят также от паразитной индуктивности Ц, вносимой в контур; при увеличении Lg напряжение Удр в значительной степа-ни возрастает, а Удм несколько уменьшается; увеличение амплитуды тока стока также приводит к увеличению Удм и Удр. Предварительную оценку элементов снаббера проводят с помощью выражений:

Cs>lc/(dUcu/dt)max

(Uculh max) < Rs < (tu/4Cs),

где Ic - амплитуда тока стока при испытаниях; 1е max.- Максимально допустимое импульсное значение тока стока;