Космонавтика  Инверторы индукционного нагрева 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 [ 41 ] 42 43 44 45 46 47 48 49

ПУСК

стоп

;:5 ЗГ

СТ1 С/А

-соп-

ГАИН-ИПС

дц -

TI-ccf-

Рис. 5.39. Схема прибора для измерения ВФХ частичных емкостей СИТ и напряжения смыкания.

ЦЕПЬ

+ I6V

ОБЩИЙ

-15v

ГАИЦ

ГЛИЦ.

ПУСКГШ

А/А±

КИСТОЮ

VDl.

Ci VD2 HI T KI

-r-f-

DrII Dr12

VD3 1-


leg eio


Pue, 3.40. Пршщитшльная схема аналоговой части прибора для определения ВФХ.

циллографа-характериографв (например, CI-83). измерять параметры ВАХ и определять область безопасных режиме!. Преимущмтм такого испытательного устройств* СОСТОИТ в следующем:

- раздельное цифровов формирование напряжения и тока СИТ;

- высокая производительность испытаний:

- квазистатический режим испытаний, что обеспечивает снижение массы и габаритов устройства;

- возможность испытаний в однократном режиме;

- низкая потребляемая мощность и высокий КПД испытаний;

- построение на основе схемотехнических модулей;

- универсальность испытательного оборудования, заключающаяся в возможности его использования для испытаний полупроводниковых приборов других типов;

- простое согласование с управляющей ЭВМ с выводом данных по приборам;

- высокий уровень безопасности режимов испытаний.

Структурная схема испытательного устройства приведена на рис. 5.42, диаграммы токов и напряжений, статические ВАХ - на рис. 5.43.

Поскольку СИТ - высоковольтный, сильноточный и быстродействующий прибор, то выходные блоки на его основе являются источниками сильных электромаг-




MAOrrxE: ВКРТ.

500 н<Р/вЕЛ. ГОР.

0.9 й/Щ}.

МАОГХЕ: BIPT.

воончудел.

ГОР.

од В/ДЕЛ.

HAORXE: ВЕРТ.

500нЧ>/ЛЫ1 ГОР.

ОДВ/ОЕЛ.

Рис. 5.41. Типичные ВФХ сит типа КП801, КП802. КЛ926.

I 1


* ИП

Рис. 5.42. Структурная схема испытательного устройства.

нитных помех. Они могут иметь достаточно сильную паразитную индуктивную связь с управляющими цифровыми устройствами (имеют низкий импеданс) или паразитную емкость с управляющими аналоговыми устройствами (имеют высокий импеданс).

Для надежной работы электронного устройства имеет смысл блок, содержащий СИТ, выделить в от-






Рис. 5.4}а,б,в. Статические ВАХ

дельную подсистему и для него обеспечить:

1) максимальную компактность (межсоединения с минимальным импедансом) и минимальную длину контуров тока;

2) автономные источники питания (максимально приближенные);

3) одноточечную землю с базой в СИТ-блоке;

4) максимальное приближение к нагрузке.

Блоки электронного устройстаа на цифровых и аналоговых ИС должны быть по возможности удалены от блока СИТ. Источник питания блока СИТ располагается вблизи блока и каждое напряжение подводится отдельной парой витых проводов, содержащих свой земляной провод. Желательно сигнальные провода также соединять в витые пары сигнал-земля . Реко-

мендуемая схема заземления приведена на (>ис. 5.44, Для повышения устойчивости управляющих цифровых ИС следует использовать относительно медленные сигналы запуска. При этом каждый входной сигнал, поступающий на плату ЦИС, следует подавать только на одну ИС. На входе каждой ИС желательно использовать триггер Шмитта, что повышает помехозащищенность устройства в целом и облегчает обработку сигналов с плохими фронтами. Если сигнал подается непосредственно на вход ИС для предотвращения паразитных колебаний скорость нарастания входного сигнала должна быть не менее 0.1-(ии)/1ф. Особо следует отметить: сигналы, выходящие с платы ЦИС и поступающие в блок СИТ. не должны поступать на вход ИС. находящихся на этой плате.


БЛОК ЦИС

Рис. 5.44. Рекомендуемая схема заземления



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 [ 41 ] 42 43 44 45 46 47 48 49