Puc. 5.26. a) напряжение диода сток-исток; б) пороговое напряжение затвор-исток.; в) сопротивление Ros (on)

c6 <2>2b,zev

Puc. 5.27. Схема определения тепловой характеристики мощного МДП транзистора.

VsD - прямое напряжение на диоде - прямое напряжение между истоком и стоком при определенном диодном токе \.

Измерения параметров по характеристикам

До начала измерений необходимо убедиться в следующем:

1. Цепь тестирования должна быть защищена от электростатического разряда.

2. До подключения всех зажимов напряжение должно быть отключено.

3. Резистор 100 Ом должен быть подключен последовательно к затвору для демпфирования возбуждений на измеряемых кривых.

4. При переходе от одного измерения к другому необходимо отключить питание.

Приводится тестирование мощного МДП-транзистора MTP12N10 на ток 12 А, напряжение 100 В, п-канал в корпусе ТО220.

~ V(bb)Dss Определяется при !□ - 5 мА и ТС -25°С (тестер рис. 5.29).

1. Устанавливается максимальное напряжение 350 В, последовательный резистор 3 кОм.

2. Полярность п-р-п.

3. Вертикаль 1 мА/дел, горизонталь 20 В/дел.

4. Шаговый генератор не используется.

5. Эмиттер заземлен, база закорочена.

6. Увеличивается коллекторное питание до срыва кривой и устанавливается 5,0 мА.

- loss Определяется при 85% от V(br)dss Максимально допустимая утечка 250 / А при 25*С

1. Переключатель на Утечку .

2. По вертикали 50 мА/дел.

3. Увеличивается коллекторное питание по 85 В и считывается ток утечки. При показаниях ноль увеличивается уровень вертикали.

- loss Определяется при Vqs ± 20 В. Максимально допустимое значение утечки 500 пА при 25С.

1б1--

Рис. 5.28. Схема измерения температурной.чависимости порогового напряжения.

1. Сток на источник.

2. Максимум напряжения 75 В, последовательный резистор 140 Ом.

3. Полярность п-р-п и переключатель Утечка .

4. Вертикаль 50 пА/дел, горизонталь 2 В/дел.

5. Шаговый генератор не используется.

6. Эмиттер заземлен, база закорочена.

7. Коллекторное питание увеличивается по 20 В.

- VGS(th) определяется при i мА и ограничено величиной 2 В (min) и 4,5 В (max) при 25°С (pwc. 5.30).

1. Максимум напряжения 15 В, последовательное сопротивление 0,3 Ом.

2. Полярность п-р-п.

3. Вертикаль 0,2 мА/дел, горизонталь 2,0 В/дел.

4. Используется шаговый генератор с шагом 1,0.

5. Эмиттер заземлен, база на шаговый генератор.

6. Увеличивается коллекторное питание по 10 В до достижения тока i мА. Измеряется VGS(tn) непосредственно с экрана.

- vds(on) Определяется при Vqs - Ю В (рис. 5.31).

1. Максимум напряжения- 15 В, последовательное сопротивление 0,3 Ом.

2. Полярность п-р-п. .

3. Вертикаль I А/дел, горизонталь 0,5 В/дел.

4. Шаговый генератор, число шагов 10. Шаг импульса 300 ps.

5. Эмиттер заземлен, база на шаговый генератор.

6. Коллекторное питание увеличивается до пересечения трассой 6 А при этом измеряется VDS(on)-

- Qfs - измеряется при изменении 1о для Vqs = 15 В (рис. 5.32).

1. Максимум напряжения 15 В, последовательное сопротивление 0,3 Ом.

2. Полярность п-р-п.

3. Вертикаль I А/дел, горизонталь 2 В/дел.

4. Шаговый генератор: число шагов 10.

5. Эмиттер заземлен, база на шаговый генератор.

6. Измерение Qfs производится при AIq - 6 А. - VsD Определяется при Vqs О (рис. 5.33).

1. Максимальное напряжение 15 В. последовательное сопротивление 0,3 Ом.

2. Полярность п-р-п.

3. Вертикаль 2 А/дел, горизонталь 0,5 В/дел.

4. Шаговый генератор не используется.

5. Кнопка дисплей в обратном положении.

6. Коллекторное питание увеличивается до достижения 12 А.

5.2. Особенности испытаний мощных ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ СИТ

Основные особенности испытаний СИТ связаны с тем, что этот прибор может работать как в полевом, так и в биполярном режимах, причем в кл.очееых схемах СИТ работает в обоих режимах. В результате с точки зрения надежности положения рабочей точки ограничиваются ОБР четырех типов (прямая и обратная ОБР биполярного режима, прямая и обратная ОБР полевого режима) и необходимы соответствующие испытания СИТ.

Испытания СИТ характеризуются высокими скоростями изменения выходных токов и напряжений и, соответственно, заметными значениями паразитных составляющих С (dU/dt) и L (di/dt).

На рис. 5.34 приведены диаграммы изменения токов СИТ типа КП926 в биполярно-полевом режиме, на рис. 5.35 - эксое.риментальные зависимости временных параметров СЙТ (времени рассасывания tp, времени переднего фронта 1*ф) от амплитуды выходного

Notlbed

For V(BR)DSS

Puc 5.29. Прибор mum 576 для измерения параметров MOUiHoeo МДП транзистора