Космонавтика  Конструирование интегральных микросхем 

1 2 3 4 5 6 7 8 [ 9 ] 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165

Окончание табл. 2.2

Серия

Число микросхем в серии

Назначение

К176

К561

Н564

КР537

40 19 17

Построение малогабаритных устройств циф. ровой автоматики и вычислительной техники с малым потреблением мощности

КР188

КР1561

1564

Данные на 1987 г.

зочной способности. Перспективные серии цифровых микросхем, предназначенные для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения, перещслены в табл. 2.2. Можно выделить три этапа развития микросхем, входящих в состав стандартных серии для создания цифровых устройств различного назначения.

I этап (1969-1975 гг.) В состав стандартных серий входили микрос\емы малой степени интеграции, выполнявшие простейшие ло-гическте функции, например серия К155.

II этап (1976-1980 гг.). Появились серии с улучшенными характеристиками, такие как 531, 555, 500, К561, К1561 и другие, что привею к ограниченному применению серий 131, 158, 137, 187.

Ы этап (1981-1987 гг.). Разработка микросхем большой степени и 1теграцин, .микропроцессорных комплектов (см. гл. 3), ЗУ, полу-зак?зных БИС на основе матричных кристаллов (см. гл. 4).

Основные электрические параметры базовых ЛЭ определяют характеристики практически всех микросхем, входящих в состав конкретной серии, и определяют возможность совместной работы микро-сем разных серий в составе аппаратуры. К таким параметрам относятся быстродействие, потребляемая мощность (Рпот); помехоустойчивость Опом; коэффициент разветвления по выходу (нагрузочная способность) Краз; коэффициент объединения по входу Коб Быстродействие определяется динамическими параметрами цифровых микросхем, к которым относятся; t°-время перехода из 1 (высокий уровень) в О (низкий уровень); t - время перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня; 1здр -время задержки распространения при включении; - время задержки

хО,1

включения; Пд

.0,1

время задержки выключения; 1зд р - время держки распространения при выключении; 1здрср - среднее время за-



-еос


Рис. 2.1. Уровни отсчета, относительно которых определяются динамические параметры

Рис. 2.2. Передаточные характеристики элемента НЕ, предельные для семейства передаточных характеристик, полученных при различных температурах

держки распросгранения сигнала; тв - длительность импульса; fp - рабочая частота. Среднее время задержки распространения 1здрср = =0,5 (tp-htg.p) является усредненным параметром быстродействия, используемым при расчете временных характеристик последовательно включенных цифровых микросхем. В справочных данных наиболее часто приводятся следующие динамические параметры циф-

На рис. 2.1 показаны уровни

ровых микросхем; t , tgj,

.1,0 fii и 1здр 4др-

отсчета, относительно которых определяются указанные динамические параметры.

Потенциальные ЛЭ при работе в составе цифрового устройства могут находиться либо в статическом режиме (в состоянии О или 1 ), либо в динамическом (переходной процесс). В зависимости от вида технологии, по которой выполнены ЛЭ, мощность, потребляемая от источника питания, различна для каждого состояния. Одни элементы потребтяют большую мощность в статическом режиме, которая лишь незначительно увеличивается в момент переключения, другие, наоборот, характеризуются значительным возрастанием потребляемого тока во время переключения. Средняя потребляемая мощность логических элементов в динамическом режиме

Рпотср = 0,5

рО i р>1

i пот г г пот

где Р

мощность, потребляемая микросхемой при выходном сос-

тоянии О , Рот - мощность при выходном состоянии 1 .

Логические элементы с возрастающим потреблением в динамическом режиме кроме статической средней мощности характеризуются мощностью, потребляемой на максимальной частоте переключения, когда во много раз возрастают токи в цепях питания. Примером таких схем являются микросхемы КМОП, которые потребляют мнк-роамперные токи питания, если нет переключающих сигналов. Допустимый предел статической помехоустойчивости ЛЭ ограничивает



уровень входного напряжения, которое еще не вызывает ложною срабатывания.

В статическом режиме различают статическую помехоустойчивость по низкому и°цу и высокому Uno уровням. Значения Ь и и определяют с помощью передаточных характеристик на рис. 2.2. Как видно из рисунка, параметр Uj, определяется как paj-ность минимального напряжения высокого уровня ixmm напряжения в точке перегиба верхней кривой (точка В), Параметр и определяется как разность напряжения в точке перегиба нижней кривой (точка А) и максимального напряжения низкого уровня Ugmax-

Для более полной оценки помехоустойчивости схемы наряду со статической необходимо учитывать динамическую помехоустойч];-вость. Помехоустойчивость в динамическом режиме зависит от длительности, амплитуды и формы сигнала помехи, а также от запаса статической помехоустойчивости и скорости переключения ЛЭ.

Коэффициент разветвления по выходу (нагрузочная способность) Краз определяет число входов аналогичных элементов, которое может быть без нарущения работоспособности подключено к выходу предыдущего ЛЭ. С увеличением нагрузочной способности расширяются возможности применения цифровых микросхем и уменьшается число корпусов в разрабатываемом цифровом устройстве. Однако при этом ухудшаются некоторые параметры цифровых PIC: снижаются быстродействие и помехоустойчивость и возрастает потребляемая мощность

В состав ряда серий цифровых микросхем наряду с основными, имеющими нагрузочную способность Краз = 4...10, включаются мощные буферные элементы с Краз = 20...30. Это позволяет при проектировании цифровых устройств уменьшить число используемых корпусов микросхем и потребляемую мощность. Необходимо отметить, что нагрузочные входы микросхем РТЛ и РЕТЛ потребляют ток с выхода нагружаемого элемента, а микросхемы ДТЛ и ТТЛ в одном логическом состоянии ( О или 1 ) отдают ток в нагрузку, а в другом потребляют его от нагрузки. Для МОП-микросхемнагрузка имеет емкостный характер.

Коэффициент объединения по входу Коб определяет максимальное число входов цифровых микросхем. Различают коэффициенты объединения по входу И(Коби) и по входу ИЛИ (Кобили)- Основные ЛЭ выполняются с небольшим числом входов (Ко5и =2.-4; Кобили2.. 4). Для увеличения числа входов в отдельных ЛЭ, входящих в серию, предусматривают специальные входы для организя ции схемы расширения (точнее, наращивания числа входов), обеспе чивающей увеличение числа входов до 10 и более. При этом в серию цифровых микросхем вводится схема расширителя. В ряде серий имеются ЛЭ с числом входов, равным восьми, допускающие дальнейшее увеличение числа входов.

2.4. Схемы транзисторно-транзисторной логики

Транзисторно-транзисторные логические схемы появились как результат развития схем ДТЛ в результате замены матрицы диодов многоэмиттериым транзистором (МЭТ). Этот транзистор представля-



1 2 3 4 5 6 7 8 [ 9 ] 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165