Космонавтика  Конструирование интегральных микросхем 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 [ 137 ] 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165

Pnc. 5.111. Структурная схема микропроцессорной системы управления работой радиоприемных устройств:

1 - демодулятор; 2 -усилитель; 3 - МП; 4 - индикатор (дисплей); 5 - 3anov,i!}iaiouiee устройство; 6 - таста-тура; 7 - устройство синтеза цифро. вого сигнала; 8 - генератор импуль-сов; 9 - усилитель

Таблица 5 16

Шаг перестройки, кГд

Коэффициент деления

9/10 25

9/10

100 (с внешним делителем 40/44)

109...232 764...83Э

вает запоминание нескольких десятков каналов с индикацией номера канала иа дисплее и быстрой настройкой по каналам, позволяет осуществлять поиск и запоминание каналов.

В приемнике может быть организовано дистанционное управление. Сигнал.ы дистаицио1шого управления подаются через демодулятор н операционный усилитель на микропроцессор. Запоминающее устройство фиксирует требуемое число слов, соответствующих числу каналов. С выхода ЗУ информация поступает на устройство синтеза цифрового сигнала. Сигнал в цифровой форме подается иа генератор и формирователь импульсов. С выхода генератора напряжение через усилитель подается на варикапы цепей настройки.

5.5.3. Усилители низкой частоты

Проектирование мощных полупроводниковых интегральных УНЧ связано с решением ряда схемотехнических, конструктивных и технологических задач, Во-нервых, следует разработать экономичные выходные каскады с использованием мощных иитегралытых структур, причем каскад должен обеспечивать малые нелинейные искажения сигнала. Во-вторых, требуется получить иа одно.м кристалле п-р-п и р-п-р структуры с высокой допустимой плотностью тока и повышенным значением коэффициента усиления, а также инжекциои-ные п-р-п структуры с большими значениями коэффициента усиления. Далее необходимо оитимизнровать технологию изготовления микросхем с мощными выходными структурами, чтобы получить большие допустимые токи 1 .2А и малое сопротивление тела коллектора при .малой площади структуры. И наконец, надо разработать конструкцию микросхемы, обеспечивающую надежную работу н исключающую эффект саморазогрева.

В настоящее время создан ряд интегральных УНЧ, которые в за-



Тип микросхем

вых Вт

К %

н Г

в f

пот А

К174УН4А

К174УН4Б

К174УН5

К174УН7

К174УН8

К174УН9А

К174УН9Б

К174УН10А

К174УН10Б

К174УН11

±15

К174УН12

К174УН14

10...80

К174УН15

К174УН18

К174УН19

±15

16...56

впсимости от типа радиоприемного устройства могут применяться в следущнх вариантах; предварительный интегральный УНЧ и выходной каскад на дискретных компонентах, предварительный УНЧ и мощный интегральный УНЧ, а также мощная микросхема с достаточным коэффициснто.м усиления по напряжению (табл. 5.17).

Схема УНЧ 1\174УН7 (рис. 5.112) имеет выходную мощность 4,5 Вт. Входной каскад усилителя построен на составном р-п-р транзисторе (VT1, VT2), нагрузкой которого служит транзистор VT3. Предусилительпый каскад выполнен на транзисторах VT7, VT8, VTIO. С целью уменьшения нагрузки на входной каскад транзисторы VT7 и VT8 включены по схеме с общим коллектором. Нагрузкой транзистора VTIO является генератор тока на транзисторе VT9. Мощный выходной каскад построен на транзисторах VT14, VT16, VT11, VT17 и обеспечивает выходной ток 1 А. Ток смещения выходного транзистора VTIO определяется током, проходящим через транзистор VT9, и падением напряжения, возникающи.м на диоде VD3. Ток смещения выходного транзистора VT17 определяется током VT13 и па-деушем напряжения, выделяющимся иа столбике р-п переходов (VD4, VD5, VT15). На транзисторах VT4 и VT5 выполнена цепь стабилизации рабочей точки устглителя по постоянному току. К выводу 5 подключается внешняя цепь, корректнр>ющая частотную характеристику на высоких частотах, а к выводу 6 - цепь обратной связи, которая служит для регулировки коэффпцие1тга усиления. Усилитель обеспечивает выходную мощность до 4,5 Вт на нагрузке 4 Ом при напряжении источника питания 15 В.

Трехкаскадпый интегральный УНЧ К174УН9 позволяет получать выходную мощность до 7 Вт иа нагрузке 4 Ом при напряжении источника питания 18 В (рнс. 5.113). Усилитель низкой частоты К174УН9 имеет встроенное устройство стабилизации тока покоя транзисторов выходного каскада, что гарантирует высокую временную



П5 Чн

тв -\ут

КЗ 0,22 н

r\R7

R9 h

Чк L

0,8к

Ев OJH

УлгЛ

R17t 230.

VT14

RIB /,2i<

VB4 m Й Ml

2,3и\5д,5н[

5,3k

R13 1,2 k

R3 100 05 100

01 100

ilOO

К174УН7

500- X

R2 56

CB 510

2700 C7J0,1

± CS 100

Рис. 5.112. Усилитель мощности К174УН7:

a - принципиальная электрическая схема; б - схема включения

KZ 100

К174УН9

R1 130и

-1 ,1

± С6

ЮОмк 08 й

J000 4700

R4\\h 1

Рис, 5.113. Усилитель мощности К174УН9



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 [ 137 ] 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165