Космонавтика  Конструирование интегральных микросхем 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 [ 105 ] 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165

С1Ш ОНИ

-1 Н

го (О Ю

N5 Ji. о

о от о

о ш о Н S ч

- с1 сп

к>со

-1-п-отэ Э - П М

М - to

о

о ОоО о-о

хххх

со -со

S S

h-

gS a§

-a 13-0

oooo

сл cn -

siSs

CO ЮЮ 4i

: О О О 5 f* >

1

S 5

>

с О

о

5 5

- go

:r w rr H b= -

Нрсмя выборки адрсся, НС

Ток 11о1рсбления, мЛ (тип выхода, время хранения информации при отключенном источнике питания, ч)

- CO 10 to

CO

Условное обозначение корпуса

Номер рисунка



П1У,должение табл. 4.5

Тип микросхем

Техноло-

Емкость,

>,

(оргаииза-Ц)1Я) , бит

\о О 3 =

5= 5

ай 1я ч -- 3 S о

KP556PTE

ТТЛШ

4К(512Х8)

190 (открытый коллектор)

239.24-2

KP556PT12

ТТЛШ

4К(1КХ4)

2104.18-5

KP5S6PT13

ТТЛШ

4К(1КХ4) 4К(512Х8)

14!;

2104.18-5

КР55ЬРТ17

ТТЛШ

239.24-2

(три со-

стояний)

KM1608PT2

ТТЛШ

4К(518х8)

2108.22-1

(три со-

стояния)

КРГ156РТ14

ТТЛШ

8К(2КХ4)

2104.-18-5

KP556PT15

ТТЛШ

8К(2КХ4) 16К(2КХ8)

2104.-18-5

556РТ6

ТТЛШ

405.24-1

556РТ7

ТТЛШ

16К(2КХ8)

405-24-2

КР556РТ!?

ТТЛШ

16К(2КХ8)

180 (три со-

239.24-2

стояния)

190 (три состояния)

КР656РТ1С

ТТЛШ

54К(еКхЗ)

239.24-2

КМ!608РТ1

ТТЛШ

256(32X8)

115 (три со-стояи1;я)

201.16-17

программируе-лые логические .VMrpuiifri

556 РТ1

ТТЛШ

16-ЕХОДные

4119.28-1

лсре-.еняые

(динамиче-

ская)

КР556РТ1

ТТлШ

48 коиъюик-

2121.28-1

1и1Й, 8 1:ычоД-

(ошрытый

ных функций

коллектор)

КР556РТ2

ТТЛШ

То ;ко

2121.28-1

(три со-

стояния)

1515.XMi

КМОП

.М1!0Г0фу)1К-

4135.04.-2

Ц1-юн?льная

цифровая

матрица

К1520ХМ1

пМОП

То же

4135.54-1

-

К1520ХМ2

11 МОП

Макет 4- h S

555РТЗ

ТТЛШ

4П9.28-1

посточкные зу с многократным пе

venpo

-фаммир-.занисм с электртеско

писыо и стирание ч

(нформации

КР558РР1

рМНОП

2К(256х8)

20

405.24-7

(суммар-

ный ток,

558РР1

ПМНОП

2К (256x8)

3J00) 15

405.24 2

(динамиче-

ский 3000)



Тип микрос\ем

Технология

Емкость, (организация), бит

S а.

§8

1 -Sis

OJ О so

i 1 Mill

°% ё§

5i >. s

>,

KPI60IPP1 КР553РР2.\ КРЫ0!РРЗ КМ558РРЗ

рЧНОА\

ii.WHOM р.МНОМ пМНОМ

4К(1КХ-1) 1ЬК(2КХ8) 1ВК(2КХ8) 64К(8КХ8)

1700 350

30(5000) 120(5000) 41(3000) 83(15000)

2120.24-3 405.24-7 2121.28-5 2121.28-6

59 60 61 62

постоянные с многокрагпым програм чирозанигм и уф-стираниоч

К573РФ1

пЛИЗ.\ЮП

8К (1Кх8)

130(100 ООО)

210Б.24-5

К57гРФ2

и ЛИЗМОП

16К(2КХ8)

90(100 ООО)

210Б,24-5

К573РФ5

llЛИ3.0П

16К(2КХ8)

100(1.50 ООО)

210Б.24-5

К573РФЗ

иЛПЗ.МОП

64К(4КХ16)

85(15 ООО)

2106.24-5

К573РФ4Д

и л из .МОП

64К(8Кх8)

70(100 ООО)

2121.28-8

К573РФ6.\

пЛИЗ,\ЮП

64К(8КХ8)

120(43 000)

2121.28-6

К573РФ81А

пЛИЗМОП

128К(16Кх8)

100(25 ООО)

2121.28-8

К573РФ8,

пЛИЗМОП

256К(321<х8)

100(25 ООО)

2121.28-8

accoi{imr]iOHbie зу

К589Р.\01

ТТЛШ

16(4x4)

239 24-2

ктруг

KISSPyS, ШР115

КвООРУШ

1S

>cs

RAti

CS RO

<5

oy -

Рис I

Рис г

Рис.3

Рис. >



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 [ 105 ] 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165